Flash-DBSim | KDELab @ USTC

介绍

Flash-DBSim 是一个用于进行闪存技术研究的仿真工具，我们希望 Flash-DBSim 能够对闪存技术研究中出现的各种实验环境进行尽可能准确地模拟，使之能够成为一个统一的闪存实验仿真平台。

Flash-DBSim 使用如下工具及语言开发：

Flash-DBSim 具有如下特点：

模块化	Flash-DBSim 使用了模块化的设计方式，整个 Flash-DBSim 共分为三个主要模块，自下而上分别为：虚拟闪存设备模块 (Virtual Flash Device Module, VFD)，存储技术设备层 (Memory Technology Device Module, MTD)，以及闪存转换层模块 (Flash Translation Layer Module, FTL)。由于模块化的设计，使得 Flash-DBSim 能够具有良好的可扩展性和可重用性。
接口化	Flash-DBSim 中，所有模块之间使用通用接口进行交互，由于接口的不变性，因此，即使其中的数个模块发生变化，其他的模块也不需要进行修改，这就保证了 Flash-DBSim 代码的可重用性。
可扩展性	所有遵循 Flash-DBSim 各模块接口定义的代码，都能够被配置到 Flash-DBSim 中运行，而其他的模块并不需要做任何的修改。使用这种方法，就使得 Flash-DBSim 可以不断进行代码扩展。
可重用性	一旦某个模块的代码被编写完成，那么它在之后任何需要的时候都可以被重新装配到 Flash-DBSim 中执行，从而实现模块的重用性。
易配置性	Flash-DBSim 尽可能地简化了接口数量，使之更为方便配置。使用少量的代码就可以对整个 Flash-DBSim 的环境进行配置，使之适应于当前的闪存研究实验。

Flash-DBSim 使用了三层模块结构，每个模块之间使用接口进行交互。整体架构图如下所示。

其中，每个模块的功能划分为：

VFD 模块	该模块用于模拟 NAND/NOR 闪存设备的特性，例如说：闪存设备的数据页、块大小，数量，读写延迟，擦除限制，I/O 计数，并发控制等。
FTL 模块	该模块提供对底层闪存设备的地址转换和访问接口。该模块可以使用 FTL/NFTL 算法来对底层模块进行控制，同时，上层用户通过与该模块交互来实现对 Flash-DBSim 的访问。
模块支持库	该支持库中实现了常见的闪存实验中需要使用到的 FTL 模块算法，以及一些 VFD 模块的虚拟闪存芯片设置。
公共访问接口	公共访问接口面向用户开放，该接口层隐藏了 Flash-DBSim 系统中的所有实现细节，用户通过这些接口控制 Flash-DBSim 系统的运行。

Flash-DBSim 由中国科学技术大学|计算机科学与技术学院所属|知识与数据工程实验室开发，你可以免费使用该工具来进行闪存相关的技术研究。

如果在使用 Flash-DBSim 的过程中，你编写的新的扩展代码，请尽可能与我们联系，以便我们能够将你的代码加入到 Flash-DBSim 库中，提供给其他人共同使用。

如果在使用 Flash-DBSim 的过程中，你发现了新的 Bug，请务必于我们联系，并提供详细的说明，以便我们对其进行修正。